特許

J-GLOBAL ID：200903073531945797

半導体装置の製造方法

発明者： 三島 康由 ,  竹井 美智子
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-048465
公開番号（公開出願番号）：特開平5-251378
出願日： 1992年03月05日
公開日（公表日）： 1993年09月28日
要約：

【要約】【目的】 イオン注入技術を利用した半導体装置の製造方法に関し、低温熱処理で格子欠陥を回復させ、不純物ドーピング効果を機能させることのできるイオン注入技術を利用した半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】 イオン注入技術を用いて半導体不純物ドーピングを行なう際、所望の不純物を所望濃度で当該半導体の所望領域にイオン注入する第1の工程と、水素、弗素、塩素よりなる群から選んだ少なくとも一種類の元素を、前記不純物イオン注入領域を含む領域にイオンドーピングする第2の工程と、当該半導体を所定温度で熱処理する第3の工程とを含む。

請求項（抜粋）：

イオン注入技術を用いて半導体不純物ドーピングを行なう際、所望の不純物を所望濃度で当該半導体の所望領域にイオン注入する第1の工程と、水素、弗素、塩素よりなる群から選んだ少なくとも一種類の元素を、前記不純物イオン注入領域を含む領域にイオンドーピングする第2の工程と、当該半導体を所定温度で熱処理する第3の工程とを含む半導体装置の製造方法。

FI (3件)：

H01L 21/265 A ,  H01L 21/265 Q ,  H01L 21/265 Z