化合物半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：柏谷昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-000453
公開番号（公開出願番号）：特開平6-204259
出願日： 1993年01月06日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：

【要約】【目的】化合物半導体装置の製造方法に関し、極めて簡単な手段を採ることに依って、化合物半導体装置に於けるサイド・ゲート効果やリーク電流の問題を解消し、高集積化や高性能化を達成しようとする。【構成】イオン注入に依って形成される素子間分離領域31が活性化される温度、例えば500〔°C〕〜600〔°C〕の温度を必要とする部分、例えばソース電極コンタクト領域26及びドレイン電極コンタクト領域27、或いは、例えばWを材料とするゲート電極などの製造工程が終了した後に半導体層の素子間分離領域形成予定部分に例えばO+ の注入を行って素子間分離領域31を形成する工程を実施する。

請求項（抜粋）：

イオン注入に依って形成される素子間分離領域が活性化される温度を必要とされる部分の製造工程が終了した後に半導体層の素子間分離領域形成予定部分にイオン注入を行って素子間分離領域を形成する工程が実施されることを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 21/76

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平1-170050
特開平2-119265
特開昭59-072132

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