特許
J-GLOBAL ID：200903073538481397
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小沢 信助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-013544
公開番号（公開出願番号）：特開平5-006956
出願日： 1991年02月04日
公開日（公表日）： 1993年01月14日
要約：
【要約】【目的】半導体装置の製造方法に関し、その目的は、高性能の2層多結晶シリコンキャパシタを実現するとともに、MOS領域にリンが侵入して特性が劣化するのを防止することにある。【構成】リンがドープされた多結晶シリコンを少なくとも下部電極とする2層多結晶シリコンキャパシタを含む半導体装置の製造方法において、前記下部電極の表面にノンドープの多結晶シリコンを形成した後加熱することにより、ノンドープの多結晶シリコンの表面に酸化膜を形成するように構成する。
請求項（抜粋）：
リンがドープされた多結晶シリコンを少なくとも下部電極とする2層多結晶シリコンキャパシタを含む半導体装置の製造方法において、前記下部電極の表面にノンドープの多結晶シリコンを形成した後加熱することにより、ノンドープの多結晶シリコンの表面に酸化膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
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