特許

J-GLOBAL ID：200903073539106590

薄膜太陽電池の製造方法

発明者： 卜部 恭一
出願人/特許権者： 株式会社富士電機総合研究所
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-220813
公開番号（公開出願番号）：特開平5-063225
出願日： 1991年09月02日
公開日（公表日）： 1993年03月12日
要約：

【要約】【目的】スパッタリングなどでCu, Inを成膜後、セレン化によりCuInSe2 薄膜層を形成する場合に、従来用いられていた有毒なH2 Seガスの使用を不必要にする。【構成】Cu薄膜層を成膜後、その表面をセレン化合物、例えばセレン化アンモニウムの溶液に接触させることによりSe薄膜層で被い、次いでその上にIn薄膜層を積層し、同様にしてSe薄膜層で被う。このあと加熱することにより、厚さ方向にもSe組成の均一なCuInSe2 薄膜層を得る。この薄膜層を用いることにより、薄膜太陽電池の変換効率を向上させることができる。

請求項（抜粋）：

VI族がセレンであるI-III -VI族化合物半導体の薄膜層を用いて接合を形成する薄膜太陽電池の製造方法において、I族元素およびIII族元素のうちの一方の薄膜層を形成後、その表面をセレン化合物溶液に接触させることによりセレン薄膜層によって被覆し、次いでそのセレン薄膜層の表面上にI族元素およびIII 族元素のうちの他方の薄膜層を積層後、その表面をセレン化合物溶液に接触させることによってセレン薄膜層により被覆し、次いで加熱することによりI-III -VI族化合物薄膜層を得ることを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。