特許
J-GLOBAL ID：200903073540332773
パルスプラズマCVDによる成膜方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田中 浩 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-335109
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163434
出願日： 1992年11月19日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：
【要約】【目的】 パルスプラズマCVD法にて被処理物表面に未分解元素を含まない薄膜を形成する。【構成】 排気され、加熱された反応室1内にピエゾバルブ16、19、22、25の開閉によって成膜用、放電用、原料分解用の各種ガスを導入し、反応室1内に間隔を隔てて設けた被処理物3と高周波電極5との間に高周波電力を印加して、導入した成膜用原料ガスを分解させ、被処理物3の表面に薄膜を形成する。成膜用原料ガスのうち常温で液体の原料26は、恒温槽27内で加熱して気化させ、キャリアガスとともに加熱された反応ガス導入管32にて気化状態を保持して反応室1に導入する。
請求項（抜粋）：
排気され、加熱された反応室に成膜用原料ガス、放電用ガスおよび原料分解用ガスを夫々別個にコントロールしつつ間欠的に導入し、高周波電力をパルス状に供給してパルスプラズマCVDにて上記反応室内の被処理物表面に皮膜を形成させるに当たり、その成膜工程において1回の成膜用原料ガスの供給に対して放電用ガス、原料分解用ガスおよび高周波電力を複数回供給することを特徴とするパルスプラズマCVDによる成膜方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, C23C 16/50
, H01L 21/31
