特許
J-GLOBAL ID:200903073544008059

高純度溶融シリカガラスの非多孔質物体を作成する方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 山元 俊仁
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-245980
公開番号(公開出願番号):特開平5-229833
出願日: 1992年08月24日
公開日(公表日): 1993年09月07日
要約:
【要約】【目的】 有害なまたは環境的に危険なHCl放出を伴うことなしに高純度シリカおよびそれを用いた光導波路ファイバを作成すること。【構成】 酸化を伴う熱分解または火炎加水分解によってSiO2に変換され得るハロゲン化物を含まずケイ素を含有した蒸気状の化合物のガス流を生じさせ、前記ガス流を燃焼バ-ナの炎内に送り込んで溶融したSiO2無定形粒子を形成し、前記無定形粒子を支持体上に沈積させ、前記沈積と実質的に同時にまたはその後で、前記無定形粒子の沈積物をコンソリデ-トさせて事実上非多孔質の物体となす。この場合、(1)Si-O結合の解離エネルギ-より大きくないSi-R結合解離エネルギ-を有し、(2)350°Cより高くない沸点を有し、(3)熱分解および/または加水分解によって、環境的に安全と認められるまたは放出が許容基準以下である分解生成物をSiO2のほかに生成するという特性を有するハロゲン化物を含まない蒸気状態の有機ケイ素-R化合物を用いる。
請求項(抜粋):
高純度溶融シリカガラスの事実上非多孔質の物体を作成する方法であって、(a)酸化を伴う熱分解または火炎加水分解によってSiO2に変換され得るハロゲン化物を含まずケイ素を含有した蒸気状の化合物のガス流を生じさせ、(b)前記ガス流を燃焼バ-ナの炎内に送り込んで溶融したSiO2無定形粒子を形成し、(c)前記無定形粒子を支持体上に沈積させ、(d)前記沈積と実質的に同時にまたはその後で、前記無定形粒子の沈積物をコンソリデ-トさせて事実上非多孔質の物体となす工程を含み、(1)Si-O結合の解離エネルギ-より大きくないSi-R結合解離エネルギ-を有し、(2)350°Cより高くない沸点を有し、(3)熱分解および/または加水分解によって、環境的に安全と認められるまたは放出が許容基準以下である分解生成物をSiO2のほかに生成するという特性を有するハロゲン化物を含まない蒸気状態の有機ケイ素-R化合物を用いることを特徴とする高純度溶融シリカガラスの非多孔質物体を作成する方法。
IPC (6件):
C03B 8/04 ,  C03B 20/00 ,  C03B 37/018 ,  C07F 7/08 ,  C07F 7/10 ,  G02B 6/00 356
引用特許:
審査官引用 (4件)
  • 特開昭62-252335
  • 特開昭62-252335
  • 特開昭56-164009
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