特許
J-GLOBAL ID：200903073553159833
ドーピング方法、半導体装置の製造方法、半導体素子の製造方法及びその製造装置、ドーピング装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-310154
公開番号（公開出願番号）：特開2001-196320
出願日： 2000年10月11日
公開日（公表日）： 2001年07月19日
要約：
【要約】【課題】 Siチップが形成されたSiウエハへの不純物のドーピングと活性化の処理の際に、レーザ照射による方法で理想的な不純物濃度プロファイルを実現し、Siチップの裏面に電極を形成する技術を提供すること。【解決手段】 Siウエハ1に形成されたSiチップの裏面に電極を形成するに際し、Siチップ1への不純物27、27a〜27cのドーピングと、このドーピングされた不純物27、27a〜27cを活性化は同一の高真空チャンバ11、11a内で加熱手段による加熱によりおこなう。
請求項（抜粋）：
密閉容器内に載置される固体のドーパントを加熱し、蒸発させる蒸発工程と、前記蒸発工程の後に、前記密閉容器内に載置される基板にレーザ光を照射し、前記ドーパントをドープするドープ工程と、を備えることを特徴とするドーピング方法。
IPC (5件)：
H01L 21/22
, H01L 21/268
, H01L 29/78 652
, H01L 29/78 655
, H01L 21/336
H01L 21/22 E
, H01L 21/268 F
, H01L 29/78 652 L
, H01L 29/78 655 C
, H01L 29/78 658 A
