特許

J-GLOBAL ID：200903073558180873

窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法

発明者： 幡 俊雄
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-079180
公開番号（公開出願番号）：特開2001-068786
出願日： 2000年03月21日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
要約：

【要約】【課題】 横モードを安定させるために電流阻止層を設けた窒化物系化合物半導体発光素子において、しきい値電流と順方向電圧を低減し、信頼性を向上する。【解決手段】 上下クラッド層4、6で挟まれた活性層5上に電流通路となる開口部を有する電流阻止層8aが設けられている。この電流阻止層8aは、窒化物系化合物半導体層8の下の少なくとも開口部に導電体層と絶縁体層7とを有しており、絶縁体層7は開口部形成の際に窒化物系化合物半導体層8のエッチングストップ層として機能する。

請求項（抜粋）：

基板上に、少なくとも一対のクラッド層と、両クラッド層で挟まれた活性層と、該基板から遠い方のクラッド層上に電流通路となる開口部を有して設けられた電流阻止層とを備えた窒化物系化合物半導体発光素子において、該電流阻止層が絶縁体層と窒化物系化合物半導体層からなり、該窒化物系化合物半導体層の下の少なくとも該開口部に該絶縁体層を有する窒化物系化合物半導体発光素子。

IPC (4件)：

H01S 5/223 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/343

FI (4件)：

H01S 5/223 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/343 ,  H01L 21/302 J

Fターム (27件)：

5F004AA06 ,  5F004BA04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA04 ,  5F004DA11 ,  5F004DB19 ,  5F004EA23 ,  5F004EB08 ,  5F004FA08 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA74 ,  5F041CB03 ,  5F041CB04 ,  5F073AA07 ,  5F073AA13 ,  5F073AA51 ,  5F073AA53 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073DA05 ,  5F073DA22 ,  5F073DA25 ,  5F073DA35 ,  5F073EA23