特許

J-GLOBAL ID：200903073559784705

半導体薄膜形成方法

発明者： 足利 欣哉 ,  大野 守▲史▼
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-194002
公開番号（公開出願番号）：特開平6-045257
出願日： 1992年07月21日
公開日（公表日）： 1994年02月18日
要約：

【要約】【目的】 Si-Ge単結晶膜とSi単結晶層の界面に付着する不純物を除去し基板上に膜質の均一な半導体薄膜を形成する方法を提供する。【構成】 反応炉をSiH4 ガス雰囲気とし基板を赤外線ランプで加熱しながら基板上に400A°〜600A°の膜厚を成長させる。反応炉をHCl+Ar混合ガスの雰囲気とし基板を赤外線ランプで300°C〜500°Cに加熱しながら基板上に付着した不純物を除去する。反応炉をSiH4 -GeH4 混合ガスの雰囲気としSi単結晶層上にSi-Ge単結晶膜を形成する。反応炉を水素ガス雰囲気をとし赤外線照射で基板を加熱する。

請求項（抜粋）：

反応炉内で、加熱処理を行ってシリコン基板上にIV族系半導体結晶薄膜を形成する方法において、(a)シリコンを含有するIV族系水素ガス雰囲気中でシリコン(Si)単結晶層を形成する工程と、(b)塩化水素(HCl)を含む不活性ガスを前記反応炉内に供給しながら、加熱温度を300°C〜500°Cに保持する工程と、(c)シリコン及びゲルマニウムを含有するIV族系水素ガスを混合した雰囲気中でシリコン・ゲルマニウム(Si-Ge)単結晶のIV族半導体薄膜を形成する工程とを含み、前記各工程(a)、(b)および(c)を連続的に行うことを特徴とする半導体薄膜形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/26