特許
J-GLOBAL ID：200903073564476792
半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-003143
公開番号（公開出願番号）：特開平7-182885
出願日： 1994年01月17日
公開日（公表日）： 1995年07月21日
要約：
【要約】【目的】コマンド入力時の電源ノイズやコマンドノイスなどで誤ったコマンドにより装置が誤動作してもメモリセルのデータ破壊を防止する。【構成】コマンドコントロール方式を用いた不揮発性半導体記憶装置であり、コマンドレジスタ回路107 を備え、不揮発性メモリセルでなるプロテクトセル116とそれを読み出すプロテクトセンスアンプ回路117 、書き込みや消去のプログラム時に電圧を供給する高電圧検知回路114 、プロテクトセルの制御をするプロテクト制御回路115 及びプロテクトセルのデータを読み取りそれに応じてメモリセルアレイ106 へのコマンドのコントロールを行うコントロール回路108 を有することを特徴としている。
請求項（抜粋）：
電気的プログラム可能な不揮発性メモリセルからなるメモリセルアレイと、前記メモリセルアレイに対し、外部信号に従ってアドレスを指定し、アクセス動作を行うメモリ周辺回路と、前記メモリセルアレイに対するデータのプログラムに関する制御のための高電圧供給手段と、外部コントロール信号により前記メモリセルアレイに対して電気的プログラム動作を行うためのコマンド信号を出力するコマンドレジスタ回路と、前記コマンド信号により前記メモリセルアレイの任意のメモリセルに対しプログラム動作及び読み出し動作のうち少なくとも一方を行うために前記メモリ周辺回路を制御するコマンド信号伝達手段と、前記メモリセルアレイに対して電気的プログラム動作が行われる際に必ずそのデータが判定される不揮発性のプロテクトメモリ手段と、前記プロテクトメモリ手段に対してプログラム動作させる際に用いる制御信号を前記コマンドレジスタ回路に供給する高電圧検知回路と、前記プロテクトメモリ手段のデータを読むためのプロテクトセンスアンプ回路と、前記コマンドレジスタ回路からのコマンド信号により前記プロテクトメモリセルと前記プロテクトセンスアンプ回路を動作制御するプロテクト制御回路と、前記プロテクトセンスアンプ回路の読み出しデータにより前記メモリセルに対するプログラム動作を制御するため前記高電圧供給手段を制御するコントロール回路とを具備することを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (2件)：
G11C 16/06
, G06F 12/14 310
G11C 17/00 309 F
, G11C 17/00 530 B
