特許
J-GLOBAL ID：200903073565357223
磁気抵抗エレメント内の磁気ひずみを測定するための方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
坂口 博
, 市位 嘉宏
, 上野 剛史
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-561137
公開番号（公開出願番号）：特表2006-510884
出願日： 2003年10月17日
公開日（公表日）： 2006年03月30日
要約：
【課題】 磁気抵抗エレメントの磁気ひずみ定数を直接測定するための方法を提供する。【解決手段】 この方法は、1)1つまたは複数の磁気抵抗エレメントを担持する基板を用意するステップと、2)前記基板を曲げ治具に挿入するステップと、3)前記基板に平行なDC磁界を加えるステップと、4)前記基板に垂直で前記エレメントの磁気抵抗層に平行な交番磁界を加えるステップと、5)前記エレメントからの信号を測定するステップと、6)前記基板を曲げることにより、前記基板に平行な機械的応力を加えるステップと、7)前記機械的応力を加える前に測定された信号に到達するまで、前記DC磁界を変化させるステップとから構成される。
請求項（抜粋）：
磁気抵抗エレメントの磁気ひずみ定数を直接測定するための方法であって、
1つまたは複数の磁気抵抗エレメントを担持する基板を用意するステップと、
前記基板を曲げ治具に挿入するステップと、
前記基板に平行なDC磁界を加えるステップと、
前記基板に垂直で前記エレメントの磁気抵抗層に平行な交番磁界を加えるステップと、
前記エレメントからの信号を測定するステップと、
前記基板を曲げることにより、前記基板に平行な機械的応力を加えるステップと、
前記機械的応力を加える前に測定された信号に到達するまで、前記DC磁界を変化させるステップと、
を特徴とする、方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (5件)：
2G017AD22
, 2G017BA11
, 2G017CC04
, 2G017CC08
, 2G017CD03
