特許

J-GLOBAL ID：200903073566835099

半導体膜の形成方法および半導体装置

発明者： 宮嶋 利明 ,  高木 悛公
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-303180
公開番号（公開出願番号）：特開2001-126986
出願日： 1999年10月25日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
要約：

【要約】【課題】 非単結晶絶縁膜上または非単結晶絶縁基板上に、非晶質または多結晶等の非単結晶半導体薄膜を形成してエネルギーを加えて結晶化する際に、不規則な核発生を抑制し、かつ、結晶成長し易い方位を有する結晶粒を制御して成長し、大略結晶方位の揃った大面積の結晶性半導体膜を得る。【解決手段】 ガラス基板1上に、結晶成長方向に向かって出口側が滑らかなエッジ形状のくびれ部3を有する非晶質Si膜2を形成し、くびれ部3の入り口側から滑らかな形状を有する出口側まで結晶成長させる。くびれ部3の片側で発生した多数の結晶核のうち、結晶成長しやすい方位の結晶をくびれ部3で選択し、かつ、くびれ部3を出た後、結晶粒を大きく成長させたい領域で不規則な結晶核が生じるのを、出口側を滑らかなエッジ形状とすることにより抑制する。

請求項（抜粋）：

基板上に形成した非単結晶絶縁膜上、または非単結晶絶縁基板上に半導体膜を形成する方法であって、該非単結晶絶縁膜上または該非単結晶絶縁基板上に非単結晶半導体膜を形成してその一部を除去することにより、少なくとも一方側に滑らかなエッジ形状を有するくびれ部を形成する工程と、該非単結晶半導体膜にエネルギーを加えることにより、該くびれ部の一方側とは反対側から、該くびれ部および滑らかなエッジ形状部分を通過して結晶成長を進ませる工程とを含む半導体膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/78 627 G

Fターム (48件)：

5F052AA14 ,  5F052AA17 ,  5F052CA04 ,  5F052DA01 ,  5F052DA04 ,  5F052DA05 ,  5F052DB02 ,  5F052EA02 ,  5F052EA11 ,  5F052FA03 ,  5F052FA06 ,  5F052FA24 ,  5F052JA01 ,  5F110BB03 ,  5F110BB05 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG04 ,  5F110GG13 ,  5F110GG17 ,  5F110GG23 ,  5F110GG25 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ18 ,  5F110HL03 ,  5F110HL23 ,  5F110NN03 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP08 ,  5F110PP23 ,  5F110PP34 ,  5F110PP40 ,  5F110QQ11