特許
J-GLOBAL ID：200903073574601064
スパッタリングターゲット用ZnO-Ga2O3系焼結体およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鴨田 朝雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-115764
公開番号（公開出願番号）：特開平10-306367
出願日： 1997年05月06日
公開日（公表日）： 1998年11月17日
要約：
【要約】【課題】 異常放電の発生がなく、安定して、特性の優れたZnO-Ga2O3系膜を成膜することができるスパッタリングターゲット用ZnO-Ga2O3系焼結体、およびこの焼結体を、安い製造コストで、かつ大型のものも含めて製造することができる方法を提供する。【解決手段】 本発明の焼結体は、(1)TiO2、GeO2、Al2O3、MgO、In2O3やSnO2を含み、(2)組織の主な構成相が、Ti、Ge、Al、Mg、InやSnを固溶したZnO相、(3)焼結密度が5.2g/cm3以上、(4)体積抵抗率が2×10-2Ω・cm以下、(5)平均結晶粒径が2〜10μm、かつ(6)最大空孔径が2μm以下である。また、上記焼結体を製造する本発明方法は、(1)TiO2、GeO2、Al2O3、MgO、In2O3やSnO2からなる粉末と、Ga2O3からなる粉末とをZnO粉末に添加して混合し(以上の粉末の平均粒径はいずれも1μm以下)、(2)混合粉末の成形を冷間で行い、(3)成形体の焼結を1300〜1550°C、常圧で行う。
請求項（抜粋）：
(1)酸化チタニウム、酸化ゲルマニウム、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化インジウムおよび酸化錫からなる群より選ばれた少なくとも1種を1〜5重量%含み、(2)組織の主な構成相が、Ga、Ti、Ge、Al、Mg、InおよびSnからなる群より選ばれた少なくとも1種が固溶したZnO相、(3)焼結密度が5.2g/cm3以上、(4)体積抵抗率が2×10-2Ω・cm以下、(5)平均結晶粒径が2〜10μm、かつ(6)最大空孔径が2μm以下であるスパッタリングターゲット用ZnO-Ga2O3系焼結体。
引用特許：
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