特許

J-GLOBAL ID：200903073575701330

半導体集積回路装置とその製造方法

発明者： 板垣 伸
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 野口 繁雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-244430
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055459
出願日： 1991年08月28日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：

【要約】【目的】 容量素子の歩留まりや信頼性を高める。【構成】 下部電極20は八角形にパターン化されており、隣接する下部電極20,20の間は連結部22によって連結され、下部電極20が共通電極となっている。下部電極20上には誘電体膜を上部電極24が下部電極20と同様の八角形に形成されている。4つの容量形成領域で囲まれた矩形状の各部分には、上部電極24とメタル配線30との接続を行なうために、1つの容量形成領域の上部電極24とつながる接続部26が配置され、接続部26上にコンタクトホール28が形成されて上部電極24とメタル配線30とが接続されている。

請求項（抜粋）：

多結晶シリコン膜にてなる下部電極と上部電極との間に誘電体膜をもつ容量素子を備えた半導体集積回路装置において、前記容量素子では上部電極とメタル配線とを接続するためのコンタクトホールを、容量形成領域以外の領域に設けたことを特徴とする半導体集積回路装置。