特許
J-GLOBAL ID：200903073581628547
電子デバイス並びに窒化チタン薄膜の作成方法及び作成装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
保立 浩一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-031337
公開番号（公開出願番号）：特開平9-205094
出願日： 1996年01月25日
公開日（公表日）： 1997年08月05日
要約：
【要約】【課題】 作成される膜の電気特性が良好であって経時的にも劣化せず、作成装置の構成としても簡易な構造となるようにする。【解決手段】 気化したテトラキスジアルキルアミノチタンよりなる原料ガスの熱CVDにより堆積したものであってフッ素又はフッ素化合物を所定量含有した窒化チタン薄膜をバリアメタル等として電子デバイスは有する。フッ素含有窒化チタン薄膜は、原料ガスの熱CVD法により素薄膜を堆積し、その後、該素薄膜をフッ素系ガスよりなる処理ガスに暴露するか、原料ガスにフッ素系ガスを混合してフッ素系ガスの存在下で熱CVDを行うことで作成される。作成装置は、素薄膜の作成を行う反応容器1が暴露用処理ガス供給系8を具備するか、又は別途設けられた処理容器1’内に暴露用処理ガスを導入するよう構成される。
請求項（抜粋）：
窒化チタン薄膜を有する電子デバイスであって、当該窒化チタン薄膜は、気化したテトラキスジアルキルアミノチタンよりなる原料ガスを加熱して化学反応させることにより堆積されたものであってフッ素又はフッ素化合物を所定量含有していることを特徴とする電子デバイス。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, C23C 16/34
H01L 21/88 M
, C23C 16/34
