特許

J-GLOBAL ID：200903073583575807

発光装置

発明者： 福留 正人
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
代理人 (1件)： 深井 敏和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-289134
公開番号（公開出願番号）：特開2007-103513
出願日： 2005年09月30日
公開日（公表日）： 2007年04月19日
要約：

【課題】 発光素子と、蛍光体を有する波長変換層とを備えており、高効率な発光が可能な発光装置を提供する。【解決手段】 基板2上に、450nmを超える範囲にピーク波長を有する励起光を発する発光素子3、およびこの発光素子を覆うように形成されており、前記励起光を可視光に変換する波長変換層4を備え、前記励起光のうちの一部と前記可視光とを共に出力する発光装置であって、波長変換層4に平均粒子径10nm以下の半導体超微粒子5を含有させた。半導体超微粒子5の表面には、結合ユニット数が5〜500で珪素-酸素の繰り返し構造からなる化合物が配位していることが好ましい。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に、450nmを超える範囲にピーク波長を有する励起光を発する発光素子、およびこの発光素子を覆うように形成されており、前記励起光を可視光に変換する波長変換層を備え、前記励起光のうちの一部と前記可視光とを共に出力する発光装置であって、 前記波長変換層は平均粒子径10nm以下の半導体超微粒子を含んでいることを特徴とする発光装置。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (1件)：

H01L33/00 N

Fターム (14件)：

5F041AA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA65 ,  5F041DA02 ,  5F041DA04 ,  5F041DA09 ,  5F041DA20 ,  5F041DA42 ,  5F041DA45 ,  5F041DA58 ,  5F041DA78 ,  5F041EE25 ,  5F041FF11

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 発光ダイオ-ド
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-377128   出願人：日亜化学工業株式会社

審査官引用 (1件)

• 発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-230512   出願人：松下電工株式会社