特許

J-GLOBAL ID：200903073586357851

磁性半導体デバイスおよびそれを用いたアクチュエータ

発明者： 中村 修
出願人/特許権者： カシオ計算機株式会社
代理人 (1件)： 杉村 次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-255240
公開番号（公開出願番号）：特開平7-095754
出願日： 1993年09月20日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：

【要約】【目的】 小型のアクチュエータを提供する。【構成】 フィルム基板21の上面には複数の磁性半導体デバイス22a、22b......が配列され、その上方には1つの永久磁石板23が移動可能に配置されている。磁性半導体デバイス22a、22b......は、磁性半導体層31上に絶縁膜32を介して金属電極33を設けた構造となっている。磁性半導体層31は、マグネティックポーラロンの存在および非存在によって強磁性状態と常磁性状態とに転移するものからなり、例えば2%GdをドープしたEuOからなっている。金属電極33に負電圧が印加されると、磁性半導体層31に形成されていた局在マグネティックポーラロンが消失し、強磁性状態から常磁性状態に転移する。このような動作原理により、永久磁石板23が直線的に移動することになる。なお、永久磁石板23を回転させることもできる。

請求項（抜粋）：

マグネティックポーラロンの存在および非存在によって強磁性状態と常磁性状態とに転移する磁性半導体層と、この磁性半導体層に電界を印加してマグネティックポーラロンの形成を制御する磁気転移手段とを具備してなることを特徴とする磁性半導体デバイス。