特許
J-GLOBAL ID：200903073587183040
半導体基板の研削方法及び研削装置及び半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-173849
公開番号（公開出願番号）：特開平8-037169
出願日： 1994年07月26日
公開日（公表日）： 1996年02月06日
要約：
【要約】【目的】半導体基板の裏面研削に際し、半導体基板周縁部のチッピングや割れを防止し、裏面研削工程での歩留を向上させること。【構成】半導体基板1を所望の厚さに研削した状態で、半導体基板1の周縁部が面取りされた状態になるように、裏面に対し傾斜させて半導体基板1の裏面周縁部を研削する。その後、この研削によって形成される傾斜面1aの一部が残存するように、半導体基板1の裏面全面を均等に研削する。【効果】半導体基板の裏面側の周縁部を、裏面に対し傾斜させて研削した後、裏面側の周縁部の傾斜面を残存させながら、裏面を均等に研削することにより、裏面研削後残存した裏面側の周縁部の傾斜面が、面取り形状となるため、チッピングや割れを防止することができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板の裏面全面を研削し、板厚を薄くする半導体基板の研削方法であって、前記半導体基板の裏面側の周縁部を、前記裏面に対し傾斜させて研削した後、前記裏面側の周縁部の傾斜面を残存させながら、前記裏面を均等に研削することにより前記半導体基板を所望の厚さにすることを特徴とする半導体基板の研削方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 301
, B24B 1/00
