特許

J-GLOBAL ID：200903073593521586

多層構造薄膜およびその製法

発明者： 小俣 雄二 ,  古村 展之
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 役 昌明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-357980
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196324
出願日： 1992年12月25日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：

【要約】【目的】 電気メッキ法のみによって多層構造薄膜を製造する。【構成】 隣接する薄膜層の組成と異なる組成を有する合金薄膜層を複数積層した多層構造薄膜の製造方法において、同一メッキ浴を用いて、電流密度の異なるメッキ電流I1、I2を一定時間t1、t2保持することにより、組成の異なる合金薄膜層を形成する。メッキ電流の電流密度を変えることによって、組成の異なる合金薄膜を得ることができる。メッキ電流密度の変更の操作を一定の周期で繰り返した場合には、全膜厚方向に周期的に組成が変調された多層構造の薄膜が成膜される

請求項（抜粋）：

隣接する薄膜層の組成と異なる組成を有する合金薄膜層を複数積層した多層構造薄膜において、組成の異なる前記合金薄膜層が、電流密度の異なるメッキ電流を用いた電気メッキ層によって構成されていることを特徴とする多層構造薄膜。

IPC (5件)：

H01F 10/30 ,  G11B 5/31 ,  H01F 10/14 ,  H01F 10/16 ,  H01F 41/26