特許
J-GLOBAL ID：200903073593611968
複合炭素被膜の形成方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
奥山 尚男 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-122385
公開番号（公開出願番号）：特開平9-287076
出願日： 1996年04月19日
公開日（公表日）： 1997年11月04日
要約：
【要約】【課題】 炭素含有粉末を炭素源として、比較的容易に炭素被膜を形成する。【解決手段】 炭素含有粉末と少くとも1種類の遷移金属酸化物を混合・造粒して粉末材料4を作り、少くとも不活性ガスと水素ガスを含む混合気体中で高周波誘導プラズマ3を発生させ、上記粉末材料4を上記高周波誘導プラズマ3中に導入して通過させた後、基板5上に堆積させることにより被膜を形成する。
請求項（抜粋）：
炭素含有粉末と少くとも1種類の遷移金属酸化物を混合・造粒して粉末材料を作り、少くとも不活性ガスと水素ガスを含む混合気体中で高周波誘導プラズマを発生させ、上記粉末材料を上記高周波誘導プラズマ中に導入して通過させた後、基板上に堆積させることにより被膜を形成することを特徴とする複合炭素被膜の形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
前のページに戻る
