特許

J-GLOBAL ID：200903073594513900

チタン酸バリウム単結晶の製造方法

発明者： 長谷川 彰
出願人/特許権者： 住友化学工業株式会社
代理人 (1件)： 久保山 隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-076006
公開番号（公開出願番号）：特開平9-263496
出願日： 1996年03月29日
公開日（公表日）： 1997年10月07日
要約：

【要約】【課題】大粒径を有するチタン酸バリウムの単結晶を育成する方法を提供する。【解決手段】平均粒子径が10μm以下のチタン酸バリウム粉末を成形して得られる微結晶粒子集合体に、最高温度が1618°C未満1200°C以上であり、温度勾配を該微結晶粒子集合体中で移動させるとき移動方向が低温側であるような温度勾配を与え、該温度勾配を該微結晶粒子集合体中で移動させて、該温度勾配の高温側から異常粒成長を起こさせ、異常粒成長が起こった後に移動速度を減少させることにより異常粒成長を促進させて、単結晶を育成することを特徴とするチタン酸バリウム単結晶の製造方法。

請求項（抜粋）：

平均粒子径が10μm以下のチタン酸バリウム粉末を成形して得られる微結晶粒子集合体に、最高温度が1618°C未満1200°C以上であり、温度勾配を該微結晶粒子集合体中で移動させるとき移動方向が低温側であるような温度勾配を与え、該温度勾配を該微結晶粒子集合体中で移動させて、該温度勾配の高温側から異常粒成長を起こさせ、異常粒成長が起こった後に移動速度を減少させることにより異常粒成長を促進させて、単結晶を育成することを特徴とするチタン酸バリウム単結晶の製造方法。

IPC (4件)：

C30B 29/32 ,  C30B 1/08 ,  H01B 3/00 ,  H01B 3/12 303

FI (4件)：

C30B 29/32 C ,  C30B 1/08 ,  H01B 3/00 D ,  H01B 3/12 303