特許

J-GLOBAL ID：200903073598154263

重ガススパッタリングによるイオン化金属プラズマ技術

発明者： ペイジュン ディン ,  ロン タオ ,  バリー チン ,  ダニエル エー. カール
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-334867
公開番号（公開出願番号）：特開2001-240963
出願日： 2000年11月01日
公開日（公表日）： 2001年09月04日
要約：

【要約】【課題】 プラズマチャンバ内で等角障壁層およびシード層を堆積する銅金属被覆方法を提供する。【解決手段】 障壁層174およびシード層176は、誘導コイルとスパッタされる材料を含むターゲットとを有するプラズマチャンバ内で堆積されるのが好ましい。次に、ターゲット材料に対してモル質量の高い1つ以上のプラズマガスがチャンバに導入されてプラズマを形成する。プラズマガスはクセノン、クリプトンあるいはこれらの組合せから選択されるのが好ましい。

請求項（抜粋）：

基板への1つ以上の層堆積方法であって、前記方法は:(a)チャンバ内の支持部材に基板を配置するステップと;(b)クセノン、クリプトンあるいはこれらの組合せから選択された1つ以上のガスをチャンバに導入するステップと;(c)チャンバにエネルギーを誘導結合するよう配置されたコイルに第1電力を供給するステップと;(d)前記支持部材に第2電力を供給するステップと;(e)ターゲットから基板上に材料をスパッタして前記基板上に第1層を形成するステップと、を含む層堆積方法。

IPC (5件)：

C23C 14/34 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  H05H 1/46

FI (6件)：

C23C 14/34 M ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/285 S ,  H01L 21/285 301 R ,  H01L 21/285 301 Z ,  H05H 1/46 L