特許
J-GLOBAL ID:200903073603546205

波長可変半導体レーザ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 尾身 祐助
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-266106
公開番号(公開出願番号):特開平9-092933
出願日: 1995年09月21日
公開日(公表日): 1997年04月04日
要約:
【要約】【目的】 単一の制御電流(電圧)により波長を可変することができるようにする。大きな波長変化が得られるようにする。【構成】 電流注入によって光学的利得が発生する活性ストライプ2と、その一端に設けられたレーザビームの出射角を調整する光ビーム掃引器3と、光をコリメートするための機構としてのレンズ4と、回折格子5とが半導体基板1a上に集積化される。レーザ共振器は活性ストライプ2の一方の端部(半導体のへき開面など)と回折格子5との間で構成される。活性ストライプ2からのレーザ光が回折格子5に入射する角度は、光ビーム掃引器3によりビーム角を変えることにより調整がなされる。ここで、光ビーム掃引器3によりビーム角度を変えると、活性ストライプ2に戻る光の波長が変化するため、発振波長を可変することができる。
請求項(抜粋):
電流注入により光学的利得が発生する活性ストライプと、該活性ストライプの一方の端部に設けられた反射鏡と、該活性ストライプの他方の端部に設けられた、水平面内での光の進行方向を電気的に変えることができる光ビーム掃引器と、該光ビーム掃引器の出射光を伝搬させるスラブ光導波路と、該スラブ光導波路の先端部に設けられた回折格子と、が半導体基板上に集積化され、前記反射鏡と前記回折格子との間に共振器が形成されていることを特徴とする波長可変半導体レーザ。
IPC (2件):
H01S 3/18 ,  H01S 3/10
FI (2件):
H01S 3/18 ,  H01S 3/10 A
引用特許:
審査官引用 (4件)
  • 特開平1-293683
  • 半導体光素子
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平6-015672   出願人:日本電信電話株式会社
  • 特開平4-146681
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