特許
J-GLOBAL ID：200903073605341465
絶縁ゲート型電界効果半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
加藤 恭介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-254160
公開番号（公開出願番号）：特開平7-254713
出願日： 1983年12月12日
公開日（公表日）： 1995年10月03日
要約：
【要約】 (修正有)【目 的】 短い距離のチャネル形成領域のみを結晶化することによって、絶縁ゲート型電界効果半導体装置の高周波における特性を向上させる。【構 成】 基板上に第1および第3の半導体13、15を積層し、この積層体に単結晶半導体と非単結晶半導体との中間の性質を有するセミアモルファス半導体からなる第4の半導体を被着して、この第4の半導体を覆うゲート絶縁膜およびゲート電極が設けられる。また、ソース領域ないしドレイン領域の端部近傍における第4の半導体25に形成されたチャネル形成領域9 、9′ は、当該チャネル形成領域9 、9′ を移動するキャリアがグレインバウンダリを横切らないようなグレインとなるように変成される。
請求項（抜粋）：
基板上に形成された第1の電極と、前記第1の電極上に形成された第1の半導体と、当該第1の半導体上に形成された第2の半導体または絶縁体と、当該第2の半導体または絶縁体上に形成された第3の半導体と、当該第3の半導体上に形成された第2の電極と、少なくとも、前記第1ないし第3の半導体が概略同一形状に積層された積層体と、当該積層体の側部に隣接して設けられた単結晶半導体と非単結晶半導体との間の性質を有するセミアモルファス半導体からなる第4の半導体と、当該第4の半導体上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、から構成された絶縁ゲート型電界効果半導体装置において、前記第1および第3の半導体がソース領域およびドレイン領域を構成し、前記ソース領域ないしドレイン領域の端部近傍における第4の半導体に形成されたチャネル形成領域は、当該チャネル形成領域を移動するキャリアがグレインバウンダリを横切らないようなグレインとなるように変成された多結晶構造を有することを特徴とする絶縁ゲート型電界効果半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/786
, H01L 21/762
, H01L 21/336
H01L 29/78 626 A
, H01L 21/76 D
, H01L 29/78 618 Z
