特許

J-GLOBAL ID：200903073614234523

半導体電極の製造方法、半導体電極、およびその用途

発明者： 中村 善貞
出願人/特許権者： 富士写真フイルム株式会社
代理人 (1件)： 小栗 昌平 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-321170
公開番号（公開出願番号）：特開2002-134435
出願日： 2000年10月20日
公開日（公表日）： 2002年05月10日
要約：

【要約】【課題】簡便なパターニング法による多孔質半導体電極の製造方法、この方法により製造された電極およびこの電極を用いた光電変換素子を提供すること。【解決手段】半導体微粒子層を有する電極に、電磁波を照射してパターニングすることからなる半導体電極の製造方法、この方法により製造された半導体電極、およびこれを用いた光電変換素子が提供される。

請求項（抜粋）：

半導体微粒子層を有する電極に、電磁波を照射してパターニングすることを特徴とする半導体電極の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/283 ,  H01L 27/14 ,  H01L 31/04 ,  H01M 14/00

FI (5件)：

H01L 21/28 301 Z ,  H01L 21/283 A ,  H01M 14/00 P ,  H01L 27/14 Z ,  H01L 31/04 Z

Fターム (21件)：

4M104BB36 ,  4M104DD51 ,  4M104DD73 ,  4M104DD78 ,  4M104DD81 ,  4M104DD88 ,  4M104GG05 ,  4M104HH20 ,  4M118AA10 ,  4M118AB10 ,  4M118CB20 ,  4M118EA01 ,  5F051AA14 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032BB00 ,  5H032BB02 ,  5H032BB10 ,  5H032CC11 ,  5H032CC17 ,  5H032EE16