特許

J-GLOBAL ID：200903073621171480

ヒューズ素子及びチップ型ヒューズ

発明者： 多田 守男 ,  山崎 盛勝
出願人/特許権者： 北陸電気工業株式会社
代理人 (1件)： 西浦 ▲嗣▼晴
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-380281
公開番号（公開出願番号）：特開2002-184282
出願日： 2000年12月14日
公開日（公表日）： 2002年06月28日
要約：

【要約】【課題】 鉛フリー半田を用いるリフローソルダリング時におけるヒューズ素子の溶断を防ぐことができ、しかも比較的早いヒューズ素子の溶断時間が求められる電子部品にも対応できるチップ型ヒューズを得る。【解決手段】 ヒューズ素子25を、チップ型ヒューズを回路基板に実装するリフローソルダリング方法のリフロー条件におけるピーク温度よりも高い融点を有する第1の半田材料を用いて形成された下側半田材料層27と、前述のピーク温度よりも低い融点を有する第2の半田材料を用いて下側半田材料層27の上に直接形成された上側半田材料層29とから構成する。

請求項（抜粋）：

絶縁材の上に半田材料を用いて形成され、前記絶縁材を介して発熱体から伝わる熱で溶断するヒューズ素子であって、第1の半田材料を用いて形成された下側半田材料層と、前記第1の半田材料よりも融点の低い第2の半田材料を用いて前記下側半田材料層の上に直接形成された上側半田材料層とからなることを特徴とするヒューズ素子。

IPC (4件)：

H01H 37/76 ,  H01H 69/02 ,  H01H 85/00 ,  H01H 85/06

FI (5件)：

H01H 37/76 Q ,  H01H 69/02 ,  H01H 85/00 G ,  H01H 85/00 N ,  H01H 85/06

Fターム (7件)：

5G502AA02 ,  5G502BA08 ,  5G502BB13 ,  5G502BB17 ,  5G502BD02 ,  5G502CC04 ,  5G502CC28