特許
J-GLOBAL ID：200903073628510396
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-326357
公開番号（公開出願番号）：特開平6-177260
出願日： 1992年12月07日
公開日（公表日）： 1994年06月24日
要約：
【要約】【目的】SOG膜を含むAl層間膜を用いた2層配線において、スルーホール側壁に露出したSOG膜の溶剤がガスとなって放出されAl配線のステップカバレッジを悪化させたり、段切れさせたりするのを防ぐ。【構成】スルーホール9b,9c予定領域近傍に下層Al配線5bの一部をエッチングしたプール領域11を形成する。第1のプラズマ酸化膜6を堆積したのち、SOG溶液をスピンコートしてから熱処理してSOG膜7を形成する。このとき大面積の下層Al配線5bの上のSOG溶液はプール領域11に流れ込む。そのあとエッチバックしてスルーホール9b,9c予定領域のSOG膜7を除去する。つぎに第2のプラズマ酸化膜8を形成したのち、スルーホール9a,9b,9cを形成してから上層Al配線10を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板の一主面上に下層配線、SOG膜を含む層間絶縁膜および上層配線が形成され、前記下層配線および前記上層配線を接続するスルーホールが形成され、前記下層配線の前記スルーホール直下を除く近傍に開口が形成された半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/90
, H01L 21/3205
H01L 21/88 K
, H01L 21/88 N
