特許
J-GLOBAL ID：200903073628810098
半導体集積回路装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-190149
公開番号（公開出願番号）：特開平11-040678
出願日： 1997年07月15日
公開日（公表日）： 1999年02月12日
要約：
【要約】【課題】 外部端子とESD保護回路との間に挿入する抵抗値を調整することができ、トランジスタの単位面積当たリの電流供給能カが低下する虞もなく、製造ラインの工程数が増加する虞もなく、さらに、高集積化、小型化が図れる半導体集積回路装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 複数のトランジスタを構成要素として含むESD保護回路を備え、前記トランジスタのドレイン部21が外部端子4に接続されている半導体集積回路装置において、複数のトランジスタ各々のゲート電極11〜13は、隣接するトランジスタのゲード電極と互いに近接して設けられ、これらの近接するゲート電極11〜13間にはドレイン部となる拡散層21が形成され、この拡散層21上にはチタンシリサイドが形成されない領域C、Dが設けられていることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
複数のトランジスタを構成要素として含むESD保護回路を備え、前記トランジスタのドレイン部が外部端子に接続されている半導体集積回路装置において、前記複数のトランジスタ各々のゲート電極は、隣接するトランジスタのゲード電極と互いに近接して設けられ、これらの近接するゲート電極間にはドレイン部となる拡散層が形成され、この拡散層上にはチタンシリサイドが形成されない領域が設けられていることを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (2件)：
H01L 21/8234
, H01L 27/088
