半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉田精孝 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-040178
公開番号（公開出願番号）：特開平5-082543
出願日： 1991年03月06日
公開日（公表日）： 1993年04月02日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】LDD構造の製造工程が簡単であって信頼性を向上させた半導体装置の製造方法を提供することにある。【構成】基板1上に絶縁膜2を介在させてゲ-ト電極3を形成し、その状態で基板にこれと反対キャリヤのイオンを注入し、その上に粘性を有した有機剤を回転塗布し焼成して有機剤膜7を形成し、有機溶剤膜上から基板にこれと同一キャリヤのイオン注入する工程とした。【効果】工程が簡略されると共に、ゲ-ト電極の損傷がなく半導体装置の信頼性が向上する。

請求項（抜粋）：

MOS型半導体装置の製造方法において、半導体基板上に絶縁膜を介在させゲ-ト電極を形成する工程と、前記ゲ-ト電極を挟んで半導体基板表面部に該半導体基板と反対キャリヤ型のイオン注入を行って該反対キャリヤ型の拡散層を形成する工程と、粘性を有した有機剤を前記反対キャリヤ型の拡散層形成後の半導体基板上に回転塗布し且つ焼成してゲ-ト電極の端縁と半導体基板との段差部に傾斜面を有して有機剤塗膜を形成する工程と、前記有機剤塗膜上から半導体基板と同一キャリヤ型のイオン注入を行って前記有機剤塗膜の厚さにならった強度の前記同一キャリヤ型の拡散層を形成する工程とを含む、ことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/336 , H01L 29/784 , H01L 21/265 , H01L 21/266

FI (3件)：

H01L 29/78 301 L , H01L 21/265 H , H01L 21/265 M

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