特許

J-GLOBAL ID：200903073640293678

表面実装型発光ダイオード及びその製造方法

発明者： 小池 晃
出願人/特許権者： 株式会社シチズン電子
代理人 (1件)： 浅川 哲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-279076
公開番号（公開出願番号）：特開2002-094123
出願日： 2000年09月14日
公開日（公表日）： 2002年03月29日
要約：

【要約】【課題】 色調むらを起こさずに均一な発光輝度が得られるような波長変換基板を備えた表面実装型の発光ダイオードを提供すること。【解決手段】 素子基板22をサファイアガラスで構成し、その表面にn型半導体23とp型半導体24からなる発光層27と、n型電極25及びp型電極26が形成されてなる窒化ガリウム系化合物半導体において、前記素子基板22の裏面にセレン化亜鉛系化合物半導体で形成された波長変換基板28が接着固定された発光素子チップ21を形成した。そして、この発光素子チップ21を外部接続用電極32,33が形成された回路基板31上に実装して表面実装型の発光ダイオードを形成した。

請求項（抜粋）：

素子基板をサファイアガラスで構成し、その表面に発光層と電極が形成されてなる窒化ガリウム系化合物半導体において、前記素子基板の裏面にセレン化亜鉛系化合物半導体で形成された波長変換基板を接着固定した発光素子チップを備えてなることを特徴とする表面実装型発光ダイオード。

IPC (4件)：

H01L 33/00 ,  C09K 11/08 ,  C09K 11/62 ,  C09K 11/88

FI (5件)：

H01L 33/00 N ,  H01L 33/00 C ,  C09K 11/08 J ,  C09K 11/62 ,  C09K 11/88

Fターム (20件)：

4H001CA05 ,  4H001XA07 ,  4H001XA30 ,  4H001XA31 ,  4H001XA34 ,  5F041AA11 ,  5F041CA13 ,  5F041CA40 ,  5F041CA43 ,  5F041CA46 ,  5F041DA04 ,  5F041DA09 ,  5F041DA19 ,  5F041DA20 ,  5F041DA39 ,  5F041DA43 ,  5F041DA92 ,  5F041DC23 ,  5F041DC26 ,  5F041EE25