特許
J-GLOBAL ID：200903073642224355
窒化物半導体のエッチング方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-175694
公開番号（公開出願番号）：特開平9-027477
出願日： 1995年07月12日
公開日（公表日）： 1997年01月28日
要約：
【要約】【課題】耐熱性があり、酸やアルカリに溶けにくく、機械的な強度が強いIII-V族窒化物半導体を、加工中のダメージが少なく、比較的低温でエッチング加工することが可能なエッチング方法を提供する。【解決手段】III-V族窒化物半導体を所定の温度(少なくとも550〜600°C以上)に加熱し、窒化物半導体の表面に、原子状の水素を供給することによりエッチングを行う窒化物半導体のエッチング方法。
請求項（抜粋）：
III-V族窒化物半導体を所定の温度に加熱し、該窒化物半導体の表面に、原子状の水素を供給することによりエッチングを行うことを特徴とする窒化物半導体のエッチング方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/302 F
, H01S 3/18
