半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：作田康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-290585
公開番号（公開出願番号）：特開2001-110823
出願日： 1999年10月13日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
要約：

【要約】【課題】半導体装置,パワーモジュールにおいて、大面積でかつ高精度接合を可能にした信頼性の高い電極接合方法を提供する。【解決手段】Siチップ(1)上にアルミニウム電極(2)を有する半導体素子と、表面にアルミニウム金属層(3)を有するモリブデン電極板(5)を準備し、半導体素子とモリブデン電極板を重ね合わせて、アルミニウム電極とアルミニウム金属層を接触させながらモリブデン電極板に超音波振動を印加し、その後、半導体素子及びモリブデン電極板を加熱圧着することにより、アルミニウム電極とアルミニウム金属層を接合する。【効果】半導体装置,パワーモジュールの熱抵抗が小さくなるとともに長期信頼性が向上する。

請求項（抜粋）：

アルミニウムまたはアルミニウム合金の電極を有する半導体素子と、表面に前記電極と同種材または前記電極と金属間化合物を生成しない金属層を有する電極板を準備し、前記半導体素子と前記電極板を重ね合わせて、前記電極と前記金属層を接触させながら、前記電極板に超音波振動を印加し、前記超音波振動を印加後、前記半導体素子及び前記電極板を加熱圧着することにより、前記電極と前記金属層を接合する半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/52 , H01L 23/48

FI (2件)：

H01L 21/52 J , H01L 23/48 G

Fターム (5件)：

5F047AA05 , 5F047AB08 , 5F047AB09 , 5F047BA41 , 5F047CA01

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭47-030275
特開平1-273327
特開昭47-030275

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