特許

J-GLOBAL ID：200903073646844552

マイクロ波半導体集積回路用リ-ドフレ-ム

発明者： 佐藤 一成
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 宮越 典明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-014401
公開番号（公開出願番号）：特開平9-213868
出願日： 1996年01月30日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：

【要約】【課題】 フルモ-ルドパッケ-ジにおいて、信号端子間のアイソレ-ションを向上させ、高周波でもフルモ-ルドパッケ-ジを使用し得るマイクロ波半導体集積回路用リ-ドフレ-ムを提供すること。【解決手段】 信号端子1,4,6,8,9,12,13,15,17,20のうち8,9及び12,13は、パッケ-ジ内で1本になっており、マイクロ波帯での入力インピ-ダンスが得られるように構成されている。また、信号端子8,9及び12,13は、接地端子である7,10及び11,14で囲み、そして、そのうちの接地端子10と11は最外端子となっている。一方、半導体チップ22は、マウントアイランド21にマウント材で接着されており、ボンディングワイヤ23でリ-ドと接続されており、これらをモ-ルド材で封入してなるリ-ドフレ-ム。このように、同一の信号端子をパッケ-ジ内でマウントアイランドと一体の接地用リ-ドで挟み、その接地端子を最外端子に構成することで、信号端子間のアイソレ-ションを向上させることができる。

請求項（抜粋）：

対向する辺に信号端子を持ち、マウントアイランドと一体化された接地端子を最外周の信号端子よりも外側に配置し、信号端子の周りに接地端子を設け、リ-ド間のアイソレ-ションを向上させることを特徴とするマイクロ波半導体集積回路用リ-ドフレ-ム。

IPC (3件)：

H01L 23/50 ,  H01L 21/60 301 ,  H01L 21/60 321

FI (3件)：

H01L 23/50 N ,  H01L 21/60 301 B ,  H01L 21/60 321 X

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-318764
  
• 特開昭52-047382