特許
J-GLOBAL ID：200903073652845765
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-171784
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343369
出願日： 1992年06月05日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：
【要約】【構成】 アッシング用ガスとして、酸素に希ガスを混合したものを用いる。希ガスとしてはアルゴンを用いたときは、酸素に対するアルゴンの混合比としては体積比で70%から95%とした場合に、とくに高速でかつ良好なアッシングを行うことができる。【効果】 アッシングに必要な酸素ラジカルの生成を促進し、アッシング効率を高めることが可能となり、アッシング時間を短縮することができる。
請求項（抜粋）：
エッチングマスクやイオン注入阻止膜として用いたレジストをアッシングする方法は、アッシングガスに希ガスと酸素とを混合したものを用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/302
, H01L 21/027
