特許

J-GLOBAL ID：200903073656640858

プラズマ処理方法および装置

発明者： 村井 智彦
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 森本 義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-117368
公開番号（公開出願番号）：特開2000-306898
出願日： 1999年04月26日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
要約：

【要約】【課題】 被処理体の貫通加工が進行してその一部が貫通し始め、貫通穴を通じて冷媒ガスが漏れ出しても、プラズマ状態を安定に保つことができ、被処理体全面にわたって良好に貫通加工できるようにする。【解決手段】 被処理体9と下部電極2との間に形成される冷媒ガス流路12内へ導入される冷媒ガスにエッチングガスの少なくとも一成分を混合するとともに、冷媒ガス流路12内におけるガス圧力を検出し、エッチングの進行に伴う冷媒ガス流路12側から真空チャンバー1側へのガス漏出に対応する圧力値の変動に応じて、エッチングガスの導入流量を制御する。

請求項（抜粋）：

真空チャンバーの内部に設けた電極とその電極上に設置された被処理体との間に形成される冷媒ガス流路に冷媒ガスを流通させ、真空チャンバー内にエッチングガスを導入するとともに、高周波電圧を印加してプラズマを発生させて被処理体をエッチングするに際し、前記冷媒ガス流路内へ導入される冷媒ガスにエッチングガスの少なくとも一成分を混合するとともに、冷媒ガス流路内におけるガス圧力を検出し、エッチングの進行に伴う冷媒ガス流路側から真空チャンバー側へのガス漏出に対応する圧力値の変動に応じて、エッチングガスの導入流量を制御することを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  H05H 1/46

FI (2件)：

H01L 21/302 C ,  H05H 1/46 M

Fターム (17件)：

5F004AA01 ,  5F004BA04 ,  5F004BB13 ,  5F004BB18 ,  5F004BB25 ,  5F004BC03 ,  5F004BC08 ,  5F004BD03 ,  5F004CA02 ,  5F004CA03 ,  5F004CA09 ,  5F004DA18 ,  5F004DA22 ,  5F004DB01 ,  5F004EA01 ,  5F004EA30 ,  5F004EB08