特許

J-GLOBAL ID：200903073657755080

膜厚測定装置およびポリシング装置

発明者： 津村 明 ,  鄭 有成 ,  内田 順三
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-067146
公開番号（公開出願番号）：特開平7-004921
出願日： 1994年04月05日
公開日（公表日）： 1995年01月10日
要約：

【要約】【目的】 半導体ウエハのポリシング中に膜厚をインプロセスで測定することが可能な膜厚測定装置を提供することにある。【構成】 半導体ウエハ1の基板28上に形成された薄膜29をポリシングしながらその膜厚を測定する装置にいて、上記薄膜をポリシングしているときに上記基板を透過する波長の測定光を上記基板側から照射する赤外線半導体レ-ザ19と、この測定光が上記基板を透過してから反射する反射光に基づいて上記薄膜の厚さを測定する光検出器23および演算器26とを具備する。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハの基板上に形成された薄膜をポリシングしながらその膜厚を測定する膜厚測定装置において、上記薄膜をポリシングしているときに上記基板および薄膜を透過する波長の測定光を上記基板側から照射する照射手段と、この照射手段から出射された測定光が上記基板および薄膜を透過してから反射する反射光に基づいて上記薄膜の厚さを測定する測定手段とを具備したことを特徴とする膜厚測定装置。