特許

J-GLOBAL ID：200903073657941355

炭化珪素バルク単結晶の製造方法

発明者： 杉山 尚宏 ,  岡本 篤人 ,  谷 俊彦 ,  神谷 信雄 ,  木藤 泰男
出願人/特許権者： 株式会社豊田中央研究所 ,  株式会社デンソー
代理人 (1件)： 萼 経夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-362252
公開番号（公開出願番号）：特開平11-171698
出願日： 1997年12月11日
公開日（公表日）： 1999年06月29日
要約：

【要約】【課題】 SiC on Si基板からSiを溶融除去する際、種結晶となる SiCを中実の台座に密着貼付させて、該台座を、昇華法による単結晶成長における SiCの保持具として使用できるようにし、単結晶成長の安定化を図る。【解決手段】 珪素基板11上に炭化珪素膜12をエピタキシャル成長させてなる複合体10を、その炭化珪素膜12を合せ面として台座13に接着し、この台座13を、連続孔を有する多孔性黒鉛ブロック14に前記珪素基板11が接触するように重ね合せ、これを加熱炉に入れて、真空中で加熱して珪素基板11を溶融させる。そして、溶融珪素は多孔性黒鉛ブロック14に浸透させて除去し、その除去途中でストッパ15に台座13を当接させて、炭化珪素膜12が黒鉛ブロック14に接触するのを防止し、台座13に密着貼付された炭化珪素膜12は、台座13と共に成長容器に移して、昇華法により炭化珪素膜12上に単結晶を成長させる。

請求項（抜粋）：

珪素基板上に炭化珪素膜をエピタキシャル成長させてなる複合体から前記珪素基板を溶融除去し、残った炭化珪素膜を種結晶として、昇華法により炭化珪素単結晶を成長させて炭化珪素バルク単結晶を得る方法において、前記複合体から珪素基板を溶融除去する際、前記珪素基板を、連続孔を有する多孔質黒鉛ブロックに接触させて、該多孔質黒鉛ブロックに溶融珪素を吸収させると共に、炭化珪素膜は、予めこれに接合した台座に密着貼付させ、炭化珪素単結晶を成長させる際、前記台座をそのまま炭化珪素膜の保持具として用いることを特徴とする炭化珪素バルク単結晶の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 29/36 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

C30B 29/36 A ,  H01L 21/203 Z ,  H01L 21/205