特許

J-GLOBAL ID：200903073658876727

シリコンウェハの研磨方法

発明者： 左光 大和
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-243811
公開番号（公開出願番号）：特開平9-063996
出願日： 1995年08月29日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：

【要約】【課題】 化学機械研磨法(CMP法(Chem-Mech Polishing Method))によりシリコンウェハを研磨するに当たり、アルカリ金属によるシリコンウェハの汚染を防止しつつシリコンウェハの表面を研磨して平坦化する。【解決手段】 スラリー導入管26から、コロイダルシリカが混入された、0.1wt%以上5.0wt%以下の濃度のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)水溶液を供給し、このTMAH水溶液をシリコンウェハ21と研磨用パッド24との間に介在させてシリコンウェハ21の表面を研磨する。TMAHにはアルカリ金属が含まれていないので、シリコンウェハ21が汚染されることがない。

請求項（抜粋）：

シリコンウェハと研磨用パッドとの間に、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(以下、「TMAH」という)水溶液を介在させて前記シリコンウェハの表面を研磨することを特徴とするシリコンウェハの研磨方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 ,  B24B 1/00 ,  B24B 37/00

FI (4件)：

H01L 21/304 321 M ,  H01L 21/304 321 P ,  B24B 1/00 A ,  B24B 37/00 F