特許

J-GLOBAL ID：200903073659498475

バンプ形成方法

発明者： 鈴木 芳規 ,  村井田 道夫 ,  中田 圭成 ,  鈴木 一高
出願人/特許権者： 太陽誘電株式会社
代理人 (1件)： 吉田 精孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-287149
公開番号（公開出願番号）：特開平10-135216
出願日： 1996年10月29日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：

【要約】【課題】 簡単な方法で安定した接続が得られるバンプ形成方法を提供すること。【解決手段】 ワイヤーボンダーによって転写基板1上に形成されたバンプ2を電子回路素子3の端子電極3aに転写することにより、バンプ2の平坦部分が狭い側を電子回路素子3の端子電極3aに接合しているので、バンプ2の平坦部分が広い側を回路基板に対する接続面として使用することができ、平坦部分が狭い側を同接続面として使用する従来のものに比べ、格段広い接続面積を確保して安定した接続を行える。

請求項（抜粋）：

転写基板上にワイヤーボンダーによって電子回路素子の端子電極に対応した所定配列のバンプを形成する工程と、転写基板上のバンプと電子回路素子の端子電極とを位置合わせし接合することにより、転写基板上のバンプを電子回路素子の端子電極に転写する工程とを具備した、ことを特徴とするバンプ形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/321 ,  H01L 21/60 311

FI (4件)：

H01L 21/92 604 F ,  H01L 21/60 311 Q ,  H01L 21/92 603 A ,  H01L 21/92 604 J