特許
J-GLOBAL ID：200903073659818577
サイクロトロン用内部負イオン源
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
横井 幸喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-040060
公開番号（公開出願番号）：特開2000-243309
出願日： 1999年02月18日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：
【要約】【課題】 本発明はサイクロトロンの内部装着型負イオン源において、負イオン(H-、D-)を十分な量で安定して発生させる。【解決手段】 放電室3からイオン取り出し口10に至る間の陽極2壁部に、低電子温度領域用凹部7を形成し、LaB6焼結体からなる陰極5を放電室3とともに気密空間におく。【効果】 上記負イオン源によれば、イオン、特に負イオンが十分な量で安定して得られ、また、優れた耐久性が得られる。
請求項（抜粋）：
筒状の陽極と、該陽極内空間で構成される放電室と、前記放電室の両端側に配置された2つの陰極と、放電室から外部にイオンを取り出すべく前記陽極に形成されたイオン取り出し口とを有するサイクロトロン用内部負イオン源において、放電室からイオン取り出し口に至る間の陽極壁部に、低電子温度領域用凹部が形成されていることを特徴とするサイクロトロン用内部負イオン源
IPC (3件)：
H01J 27/06
, G21K 1/00
, H05H 13/00
H01J 27/06
, G21K 1/00 A
, H05H 13/00
2G085AA11
, 2G085BA02
, 2G085BB20
, 2G085BE10
, 2G085CA01
, 2G085CA11
, 2G085EA01
, 5C030DD03
, 5C030DE01
, 5C030DG01
, 5C030DG09
