特許
J-GLOBAL ID：200903073664028940
イオン注入装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大胡 典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-091006
公開番号（公開出願番号）：特開平9-283069
出願日： 1996年04月12日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：
【要約】【課題】 スリット幅が一定な引き出し電極では、最適なイオンビ-ムが得られず、イオン密度の低下及びイオン密度の不均一性を生ずる場合があり、異なるイオン種に対して最適なスリット幅を設定できない。引き出し電極2に吸着される僅かなイオンを除去のに定期的な研磨工程が必要となる。したがって次第に摩耗してスリット幅が拡大するために、交換せざるを得ず、生産性並びに経済性を低下する難点があった。【解決手段】 本発明のイオン注入装置は、加速系を構成する引き出し電極2に左右及び上下に動ける可動電極6、7を機械的に設置してスリット幅を可変とすることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
イオンを発生するイオン源と,このイオンを引き出す加速系と,加速したイオンを選別する分析系と,選別したイオンを走査する走査系と,このイオンを検出するファラデ-系と,被注入物を自動的に装填する搬送系と,被注入物を固定する支持板とを具備し,前記加速系を構成する引出し電極のスリット幅を機械的に可変にすることを特徴とするイオン注入装置
IPC (3件)：
H01J 37/09
, C23C 14/48
, H01L 21/265
H01J 37/09 A
, C23C 14/48 B
, H01L 21/265 D
