特許
J-GLOBAL ID:200903073664718262

EL素子とその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 廣澤 勲
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-209290
公開番号(公開出願番号):特開平10-039792
出願日: 1996年07月19日
公開日(公表日): 1998年02月13日
要約:
【要約】【課題】 簡単な構成で、大画面や高精細な画面を得ることができ、寿命も長くる。【解決手段】 シリコンウエハ等の半導体基板10の一方の面にマトリクス状のドット電極12が形成され、半導体基板10に形成されマトリクス状のドット電極12毎に形成されたトランジスタ24のエミッタまたはコレクタが、マトリクス状の各ドット電極12に接続されている。半導体基板10の他方の面には各トランジスタ24のコレクタまたはエミッタが位置し、この他方の面の電極22は共通に形成されている。マトリクス状のドット電極12上にホール輸送材料17及び電子輸送材料16からなるEL材料が積層され、EL材料の表面にITO等の透明電極18が形成されている。
請求項(抜粋):
半導体基板の一方の面にマトリクス状のドット電極が形成され、上記半導体基板に形成され上記マトリクス状のドット電極毎に形成されたトランジスタのエミッタまたはコレクタが上記マトリクス状の各ドット電極に接続され、上記半導体基板の他方の面には上記各トランジスタのコレクタまたはエミッタが位置し、この他方の面の電極は共通に形成され、上記マトリクス状のドット電極上にホール輸送材料及び電子輸送材料からなるEL材料が積層され、さら上記EL材料の表面に透明電極が形成されたEL素子。
IPC (3件):
G09F 9/30 365 ,  H05B 33/08 ,  H05B 33/10
FI (3件):
G09F 9/30 365 C ,  H05B 33/08 ,  H05B 33/10

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