特許

J-GLOBAL ID：200903073665524925

エッチング方法及び半導体装置の製造方法

発明者： 折田 賢児
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (10件)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-262192
公開番号（公開出願番号）：特開2006-080274
出願日： 2004年09月09日
公開日（公表日）： 2006年03月23日
要約：

【課題】制御性及び安定性が高く、更に高精度且つ高アスペクト比の加工が可能な窒化物半導体のエッチング方法及び該エッチング方法を利用した半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 窒化物半導体層であるp型GaN層103を電解液110中に浸すと主に、紫外線防止膜112等によってp型GaN層103に対する紫外線の照射を抑制しながら、p型GaN層103に対してバイアス源108を用いてバイアスを印加することによりエッチングを行なう。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

窒化物半導体を電解液中に浸すと共に、前記窒化物半導体に対する紫外線の照射を抑制しながら、前記窒化物半導体に対してバイアスを印加することにより前記窒化物半導体をエッチングすることを特徴とする窒化物半導体のエッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  G02B 6/12

FI (3件)：

H01L33/00 C ,  G02B6/12 Z ,  G02B6/12 N

Fターム (18件)：

2H047KA02 ,  2H047KA03 ,  2H047PA05 ,  2H047PA21 ,  2H047PA24 ,  2H047RA06 ,  2H047TA01 ,  5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F041CA83 ,  5F041CA88 ,  5F041CB15