特許
J-GLOBAL ID：200903073671287625
半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-078674
公開番号（公開出願番号）：特開平10-275931
出願日： 1997年03月31日
公開日（公表日）： 1998年10月13日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 半導体発光素子の発光パターンが発光部内でばらつき、半導体発光素子の発光強度の低下や劣化率が高くなることを防止する。【解決手段】 半導体基板上に一導電型を呈する半導体層を設け2a、この一導電型を呈する半導体層上に、この一導電型を呈する半導体層の一部が露出するように逆導電型を呈する半導体層2bを設け、この一導電型を呈する半導体層2aに第1の電極4を接続して設けると共に、前記逆導電型を呈する半導体層2bに第2の電極5を接続して設けた半導体発光素子において、前記逆導電型を呈する半導体層内に高抵抗層2cを介在させた。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に一導電型を呈する半導体層を設け、この一導電型を呈する半導体層上に、この一導電型を呈する半導体層の一部が露出するように逆導電型を呈する半導体層を設け、この一導電型を呈する半導体層と逆導電型を呈する半導体層に電極をそれぞれ接続して設けた半導体発光素子において、前記逆導電型を呈する半導体層と前記電極が接続される一導電型半導体層との間に高抵抗半導体層を設けたことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 33/00 A
, G03G 21/00 342
