特許

J-GLOBAL ID：200903073673757351

半導体装置

発明者： 山中 英雄
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-072248
公開番号（公開出願番号）：特開平6-283645
出願日： 1993年03月30日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：

【要約】【目的】 基台とリードフレームとの密着性が良い低コストの中空パッケージ構造の半導体装置を提供する。【構成】 リードフレーム2の表面に導電性有機被膜3aを形成する。このため、プラスチックモールドで作製される基台4とリードフレーム3との密着性が良くなる。また、リードフレーム3表面への導電性有機被膜3aの形成は、例えば、ディッピング(浸漬)処理で行えるので、コストも低減できる。

請求項（抜粋）：

半導体チップに接続されるリードフレームを有する中空プラスチックモールドパッケージ構造の半導体装置において、上記リードフレームの表面に導電性有機被膜を形成したことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/50 ,  H01L 23/08 ,  H01L 27/14