特許

J-GLOBAL ID：200903073676310153

固体撮像素子

発明者： 石塚 芳樹 ,  佐々木 道夫
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-220555
公開番号（公開出願番号）：特開平8-083895
出願日： 1994年09月14日
公開日（公表日）： 1996年03月26日
要約：

【要約】【目的】積層型固体撮像素子において、素子特性の劣化を伴うことなく残像特性の改善及びスミア・レベルの低減を図る。【構成】固体撮像素子は、シリコン基板44の表面に配設された電荷転送部42と、その上にBPSG絶縁膜66を介して配設された光電変換部41とを有する。画素に対応して絶縁膜66上には複数の画素電極68が形成され、これらは配線電極62を介して電荷転送部42に接続される。画素電極68上には、a-SiC:H(i)膜74、a-Si:H(i)膜76、a-SiC:H(p)膜78、ITO電極82が順次積層される。絶縁膜66は画素毎に凸形状を有するように形成され、ITO電極82、半導体膜78、76、74、及び画素電極68が、画素毎に、絶縁膜66の凸形状に倣った凸形状をなす。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面に配設された電荷転送部と、前記電荷転送部上に絶縁膜を介して配設された光電変換部と、を具備する固体撮像素子であって、前記光電変換部が、前記光電変換部の画素に対応して前記絶縁膜上に形成された複数の画素電極と、前記画素電極は配線を介して電荷転送部に電気的に接続されることと、前記画素電極上に形成されたi型半導体膜と、前記i型半導体膜上に形成されたp型半導体膜と、前記p型半導体膜上に形成された透明電極と、を具備し、前記絶縁膜が前記画素毎に凸形状を有するように形成され、前記透明電極、p型半導体膜、i型半導体膜、及び画素電極が、前記画素毎に、前記絶縁膜の前記凸形状に倣った凸形状をなすことを特徴とする固体撮像素子。