特許

J-GLOBAL ID：200903073677441430

InSb薄膜の製造方法

発明者： 竹田 敏和 ,  小木曽 美文 ,  中川 卓二 ,  千田 厚生
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (1件)： 小森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-003395
公開番号（公開出願番号）：特開平6-209129
出願日： 1993年01月12日
公開日（公表日）： 1994年07月26日
要約：

【要約】【目的】マイカ基板を用いることなく、SiO2 等の通常の基板上に高移動度のInSb薄膜を成膜する。【構成】前処理として基板上にInSb多結晶粉末を物理的に付着させ、その後、InSbを蒸着する。

請求項（抜粋）：

基板上にInSb粉末を物理的に付着させた後、InSbを蒸着することによって、前記基板上にInSb薄膜を形成することを特徴とするInSb薄膜の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 43/12 ,  H01L 43/14