結晶性半導体作製方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-219531
公開番号（公開出願番号）：特開平9-050960
出願日： 1995年08月04日
公開日（公表日）： 1997年02月18日
要約：

【要約】【目的】結晶性に優れた結晶性珪素膜を得る。【構成】非晶質珪素膜の結晶化を助長する触媒金属の添加方法であって、前記触媒元素を含有する有機金属を、前記非晶質珪素膜表面に吸着せしめ、該吸着分のみを分解せしめることにより、実質的に単原子層からなる触媒金属層を再現性良く形成する。

請求項（抜粋）：

非晶質珪素膜を有する基板をチャンバー内に配置する第1の工程と、チャンバー内に非晶質珪素膜の結晶化を助長する触媒元素を有する有機金属の蒸気もしくはガスを導入して前記非晶質珪素膜表面に吸着せしめる第2の工程と、前記吸着した蒸気もしくはガスからなる分子を熱分解することにより、前記非晶質珪素膜表面に触媒元素金属もしくはその化合物の被膜を堆積する第3の工程と、前記非晶質珪素膜を加熱処理することにより結晶化させる第4の工程と、を有する結晶性半導体作製方法。

IPC (7件)：

H01L 21/20 , C23C 16/18 , H01L 21/26 , H01L 21/268 , H01L 27/12 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (6件)：

H01L 21/20 , C23C 16/18 , H01L 21/268 Z , H01L 27/12 R , H01L 21/26 L , H01L 29/78 627 G

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