特許

J-GLOBAL ID：200903073683816615

ZnSe単結晶の成長方法

発明者： 藤原 伸介
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 内田 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-211338
公開番号（公開出願番号）：特開平8-073300
出願日： 1994年09月05日
公開日（公表日）： 1996年03月19日
要約：

【要約】【目的】 成長速度のばらつきを抑制し、大型で良質のZnSe単結晶を再現性よく効率的に成長させる方法を提供しようとするものである。【構成】 反応管の一端に原料多結晶及びVI族元素を真空封入し、多結晶の昇華温度(T)を1050〜1425°Cの範囲で、VI族元素の添加量(ΔN)を反応管1cm3 当たり5×10-5g以上に調整し、結晶析出温度と昇華温度の差(ΔT)を50°C以下で、1×10-7≦ΔT×10-18500/T÷(ΔN)3/2 ≦5×10-7の範囲に調整しながら、ZnSe単結晶を成長する方法である。

請求項（抜粋）：

反応管の一端にZnSe原料多結晶を真空封入し、該一端を前記多結晶の昇華温度に、他端をZnSeの析出温度に加熱してZnSe単結晶を成長する方法において、前記反応管中にZnSe多結晶に加えて、VI族元素(ΔN)を反応管容積1cm3 当たり5×10-5g以上封入し、前記昇華温度(T)を1050〜1425°Cの範囲で、結晶析出温度と昇華温度の差(ΔT)を50°C以下にし、かつ、1×10-7≦ΔT×10-18500/T÷(ΔN)3/2 ≦5×10-7の範囲に調整することを特徴とするZnSe単結晶の成長方法。

IPC (2件)：

C30B 29/48 ,  C30B 23/00