外部回路実装方法および熱圧着装置

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：原謙三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-381815
公開番号（公開出願番号）：特開2005-197729
出願日： 2004年12月28日
公開日（公表日）： 2005年07月21日
要約：

【課題】非晶質半導体層を備えた基板の入出力端子に外部回路を熱圧着により実装する際の非晶質半導体層の膜剥がれや非晶質半導体層の特性の劣化を招来しない外部回路実装方法を提供する。【解決手段】非晶質半導体層であるa-Se膜12を備えたアクティブマトリクス基板6の入出力端子7に外部回路としてTCP基板9を熱圧着により実装する際に、少なくとも、上記アクティブマトリクス基板6における入出力端子7とTCP基板9との熱圧着部8と、上記a-Se膜12との間の部分を冷却媒体吐出ノズル3で冷却することにより、上記熱圧着を行っている間、a-Se膜12を、その結晶化温度未満の温度に保持する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

非晶質半導体層を備えた基板の入出力端子に外部回路を熱圧着により実装する外部回路実装方法において、上記基板の非晶質半導体層形成面およびその裏面側のうち少なくとも一方へ、上記入出力端子側から非晶質半導体層側へ斜め方向に冷却媒体を供給し、少なくとも、上記基板における入出力端子と外部回路との熱圧着部と、上記非晶質半導体層との間の部分、または少なくとも、上記非晶質半導体層における上記入出力端子近傍を冷却することにより、熱圧着を行っている間、上記非晶質半導体層をその結晶化温度未満の温度に保持することを特徴とする外部回路実装方法。

IPC (3件)：

H01L21/60 , H01L27/14 , H01L27/146

FI (3件)：

H01L21/60 311T , H01L27/14 C , H01L27/14 K

Fターム (23件)：

2G088EE01 , 2G088FF02 , 2G088GG21 , 2G088JJ05 , 2G088JJ09 , 2G088JJ33 , 2G088JJ35 , 2G088JJ37 , 2G088LL21 , 4M118AB01 , 4M118BA05 , 4M118CA14 , 4M118CB05 , 4M118CB06 , 4M118HA24 , 4M118HA26 , 4M118HA27 , 4M118HA29 , 4M118HA32 , 5F044KK06 , 5F044NN13 , 5F044NN19 , 5F044NN22

引用特許：

出願人引用 (1件)

ソリッド・ステート・デバイスを用いたX線イメージ捕獲エレメントおよび方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-316975 出願人：イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー

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